| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTA1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 | 0 | 250:$1.60000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 17.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 63W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | TO-263 |
| 包装: | 管件 |