元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 170mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 6 欧姆 @ 170mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.3V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2.5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 78pF @ 25V |
功率 - 最大: | 360mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装: | PG-SOT23-3 |
包装: | 带卷 (TR) |