元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
---|---|---|---|---|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | 0 | 300:$1.70000 |
类别: | 分离式半导体产品 |
---|---|
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | - |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | - |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
供应商设备封装: | TO-251 |
包装: | 管件 |