分离式半导体产品 BSP170PE6327T品牌、价格、PDF参数
BSP170PE6327T 品牌、价格
元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
BSP170PE6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
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BSP170PE6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
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BSP129E6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
0 |
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BSP129E6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
0 |
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BSP170PE6327T PDF参数
类别: |
分离式半导体产品
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FET 型: |
MOSFET P 通道,金属氧化物
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FET 特点: |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss): |
60V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
1.9A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
300 毫欧 @ 1.9A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大): |
4V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs: |
14nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds: |
410pF @ 25V
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功率 - 最大: |
1.8W
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安装类型: |
表面贴装
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封装/外壳: |
TO-261-4,TO-261AA
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供应商设备封装: |
PG-SOT223-4
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包装: |
剪切带 (CT)
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