元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK | 0 | 450:$1.06000 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 200mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 75 欧姆 @ 500mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 100µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 4.7nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 104pF @ 25V |
功率 - 最大: | 33W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | TO-252,(D-Pak) |
包装: | 管件 |