分离式半导体产品 IXTY02N120P品牌、价格、PDF参数

IXTY02N120P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTY02N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK 0 450:$1.06000
IXTY02N120P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 104pF @ 25V
功率 - 最大: 33W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 管件