分离式半导体产品 NVMS10P02R2G品牌、价格、PDF参数

NVMS10P02R2G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NVMS10P02R2G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC 0
NTP6448ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 0
NTMFS4946NT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V SO-8FL 0
NTD4959NH-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A DPAK-3 0
NTD4959N-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 0
NTD4959N-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 0
NTB6448ANT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 0
NTB6448ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 0
NTD4860NA-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED 0
NVMS10P02R2G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 时的 Vgs(th)(最大): -
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)