分离式半导体产品 2SJ665-DL-E品牌、价格、PDF参数

2SJ665-DL-E • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
2SJ665-DL-E ON Semiconductor MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD 0
2SJ661-DL-E ON Semiconductor MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD 0
SMP3003-DL-E ON Semiconductor MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD 0
2SJ665-DL-E • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 77 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.6V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 20V
功率 - 最大: 1.65W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: SMP-FD
包装: 带卷 (TR)