元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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HUFA76609D3ST_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 0 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 160 毫欧 @ 10A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 425pF @ 25V |
功率 - 最大: | 49W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | D-Pak |
包装: | 带卷 (TR) |