| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | 0 | 3,000:$0.36288 6,000:$0.34474 15,000:$0.33048 30,000:$0.32141 75,000:$0.31104 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 175pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装: | TO-251AA |
| 包装: | 带卷 (TR) |