分离式半导体产品 SIE882DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIE882DF-T1-GE3 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SIE882DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.09350
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| IRL640STRRPBF |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
0 |
800:$1.09305
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SIE882DF-T1-GE3 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
25V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
60A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.4 毫欧 @ 20A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
2.2V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
145nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
6400pF @ 12.5V
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| 功率 - 最大: |
125W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
10-PolarPAK?（L）
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| 供应商设备封装: |
10-PolarPAK?（L）
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| 包装: |
带卷 (TR)
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