| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK | 0 | 3,000:$0.91800 6,000:$0.88400 15,000:$0.85000 30,000:$0.83300 75,000:$0.81600 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 11700pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
| 包装: | 带卷 (TR) |