| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIE806DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK | 0 | 3,000:$1.90190 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 13000pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商设备封装: | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装: | 带卷 (TR) |