| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 | 0 | 3,000:$0.76950 6,000:$0.74100 15,000:$0.71250 30,000:$0.69825 75,000:$0.68400 |
| SI1307DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 | 0 | 3,000:$0.20925 |
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L | 0 | 1:$0.72000 25:$0.50040 100:$0.42900 250:$0.37052 500:$0.31850 1,000:$0.24700 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6150pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 50W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
| 包装: | 带卷 (TR) |