元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | 0 | 3,000:$0.65800 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 450mV @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | 1.1W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装: | 6-TSOP |
包装: | 带卷 (TR) |