分离式半导体产品 SI3467DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI3467DV-T1-GE3 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| SI3467DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP |
0 |
3,000:$0.18445
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| SI3455ADV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP |
0 |
3,000:$0.18445
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SI3467DV-T1-GE3 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
20V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
3.8A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
54 毫欧 @ 5A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
13nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.14W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
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| 供应商设备封装: |
6-TSOP
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| 包装: |
带卷 (TR)
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