元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SQR50N03-06P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 | 0 | 2,000:$0.67760 |
IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | 0 | 1,000:$0.67350 |
SI7454CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC | 5,534 | 1:$1.82000 25:$1.44000 100:$1.29600 250:$1.12800 500:$1.00800 1,000:$0.79200 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 50A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 6 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4030pF @ 25V |
功率 - 最大: | 8.3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | TO-263(D2Pak) |
包装: | 带卷 (TR) |