| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK | 0 | 3,000:$0.47600 6,000:$0.45220 15,000:$0.43350 30,000:$0.42160 75,000:$0.40800 |
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 1212-8 | 0 | 3,000:$0.47600 |
| SIJ484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L | 0 | 3,000:$0.47600 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3595pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 27.7W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
| 包装: | 带卷 (TR) |