| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | 200 | 1:$1.44000 25:$1.14000 100:$1.02600 250:$0.89300 500:$0.79800 1,000:$0.62700 |
| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.38640 |
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.53200 5,000:$0.50540 12,500:$0.48450 25,000:$0.47120 |
| SIHD3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK | 50 | 1:$1.02000 25:$0.80200 100:$0.72170 250:$0.62816 500:$0.56134 1,000:$0.44105 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 63 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 600pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 6W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 包装: | Digi-Reel® |