分离式半导体产品 SI4682DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4682DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4682DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.68850
SI4682DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.4 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1595pF @ 15V
功率 - 最大: 4.45W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)