分离式半导体产品 SI6466ADQ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI6466ADQ-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP 0 3,000:$0.60340
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.60340
SI6466ADQ-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 8.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.05W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: 带卷 (TR)