元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | 25 | 1:$1.36000 25:$1.07480 100:$0.96710 250:$0.84176 500:$0.75222 1,000:$0.59103 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.5 欧姆 @ 2.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 325pF @ 100V |
功率 - 最大: | 104W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | TO-252AA |
包装: | Digi-Reel® |