分离式半导体产品 NTD4960N-1G品牌、价格、PDF参数

NTD4960N-1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NTD4960N-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK 2,087 1:$0.40000
25:$0.29760
100:$0.25500
250:$0.22100
500:$0.18700
1,000:$0.14450
2,500:$0.13175
5,000:$0.12325
10,000:$0.11800
NTD4960N-1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 15V
功率 - 最大: 1.07W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件