| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SSM6J501NU,LF | Toshiba | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B | 3,000 | 3,000:$0.29000 6,000:$0.27000 15,000:$0.26000 30,000:$0.25000 75,000:$0.24600 150,000:$0.24000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 15.3 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 29.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装: | 6-uDFN（2x2） |
| 包装: | 带卷 (TR) |