元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SI5499DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 | 719 | 1:$0.62000 25:$0.43200 100:$0.37030 250:$0.31976 500:$0.27490 1,000:$0.21318 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 8V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 36 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 800mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 35nC @ 8V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1290pF @ 4V |
功率 - 最大: | 6.2W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装: | 1206-8 ChipFET? |
包装: | 剪切带 (CT) |