| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NP90N04VDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH TO-252 | 2,500 | 1:$2.14000 10:$1.83000 25:$1.64720 100:$1.49450 250:$1.34200 500:$1.15900 1,000:$0.97600 |
| NP90N04VDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH TO-252 | 2,500 | 2,500:$0.82350 5,000:$0.79300 12,500:$0.76250 25,000:$0.74725 62,500:$0.73200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 1.2W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装: | TO-252 |
| 包装: | Digi-Reel® |