| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| RJK03E0DNS-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON | 5,000 | 5,000:$0.33250 10,000:$0.31875 25,000:$0.31000 50,000:$0.30000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 15.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3050pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 20W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装: | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包装: | 带卷 (TR) |