| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,442 | 1:$1.67000 10:$1.03300 25:$0.92400 50:$0.83960 100:$0.75530 |
| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,200 | 400:$0.64280 800:$0.60710 1,200:$0.56881 2,800:$0.54427 10,000:$0.49817 40,000:$0.48070 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.35V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2.7W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装: | PQFN（3x3） |
| 包装: | 剪切带 (CT) |