| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2007 | EPC | TRANS 100V 30MO BUMPED DIE | 0 | 1,000:$1.30500 5,000:$1.17000 10,000:$1.12500 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 30 毫欧 @ 6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 1.2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 205pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 模具剖面（5 焊条） |
| 供应商设备封装: | 模具剖面（5 焊条） |
| 包装: | 带卷 (TR) |