元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 | 0 | 8,000:$0.05600 16,000:$0.04760 24,000:$0.04480 56,000:$0.04200 200,000:$0.03640 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 200mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 25pF @ 10V |
功率 - 最大: | 150mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SOT-723 |
供应商设备封装: | VMT3 |
包装: | 带卷 (TR) |