| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK | 800 | 800:$2.17500 1,600:$2.03000 2,400:$1.92850 5,600:$1.84875 20,000:$1.79800 40,000:$1.74000 |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N CH 600V 7A TO-252 | 3,000 | 1:$2.01000 25:$1.62000 100:$1.45800 250:$1.29600 500:$1.13400 1,000:$0.93960 2,500:$0.87480 5,000:$0.84240 |
| SIE854DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK | 5,026 | 1:$4.29000 25:$3.50360 100:$3.14600 250:$2.86000 500:$2.50250 1,000:$2.14500 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4250pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 3.75W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | TO-263（D2Pak） |
| 包装: | 带卷 (TR) |