| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DMG4466SSSL-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | 4,373 | 1:$0.61000 10:$0.51500 25:$0.45120 100:$0.38630 250:$0.33500 500:$0.28376 1,000:$0.21875 |
| DMG7702SFG-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | 4,000 | 1:$0.61000 10:$0.51500 25:$0.45120 100:$0.38630 250:$0.33500 500:$0.28376 1,000:$0.21875 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 478.9pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.42W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 包装: | 剪切带 (CT) |