| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 | 769 | 1:$6.94000 10:$6.20000 25:$5.58000 100:$5.08400 250:$4.58800 500:$4.11680 1,000:$3.47200 2,500:$3.29840 5,000:$3.16200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 120V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 211nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 13800pF @ 60V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商设备封装: | PG-TO220-3 |
| 包装: | 管件 |