| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4829DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.21080 5,000:$0.19720 12,500:$0.18360 25,000:$0.17340 62,500:$0.17000 125,000:$0.16320 |
| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC-70-6 | 688 | 1:$0.75000 25:$0.57800 100:$0.51000 250:$0.44200 500:$0.37400 1,000:$0.29750 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 215 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 210pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 3.1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | 带卷 (TR) |