| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 473 | 1:$5.21000 10:$4.64900 25:$4.18360 100:$3.81180 250:$3.43988 500:$3.08660 1,000:$2.60316 2,500:$2.47300 5,000:$2.37074 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 17.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 730µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 151W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商设备封装: | PG-TO220-3 |
| 包装: | 管件 |