| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP | 5,347 | 1:$1.03000 25:$0.81000 100:$0.72900 250:$0.63452 500:$0.56700 1,000:$0.44550 |
| SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP | 5,347 | 1:$1.03000 25:$0.81000 100:$0.72900 250:$0.63452 500:$0.56700 1,000:$0.44550 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 950mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.61 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 500pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 3.2W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 6-TSOP |
| 包装: | Digi-Reel® |