元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
---|---|---|---|---|
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | 1,975 | 1:$7.65000 10:$6.93200 25:$6.35400 100:$5.77640 250:$5.19876 500:$4.76554 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | 1,000 | 1,000:$3.89907 2,000:$3.75466 5,000:$3.61025 10,000:$3.53805 25,000:$3.46584 |
类别: | 分离式半导体产品 |
---|---|
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 130A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 6.5 毫欧 @ 100A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 270µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 7300pF @ 75V |
功率 - 最大: | 300W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
供应商设备封装: | PG-TO263-7 |
包装: | 剪切带 (CT) |