元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | 10,000 | 1:$3.92000 10:$3.52600 25:$3.19960 100:$2.87300 250:$2.61180 500:$2.28532 1,000:$1.95885 2,500:$1.86091 |
BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | 10,000 | 1:$3.92000 10:$3.52600 25:$3.19960 100:$2.87300 250:$2.61180 500:$2.28532 1,000:$1.95885 2,500:$1.86091 |
BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | 5,000 | 5,000:$1.66502 10,000:$1.61932 25,000:$1.56708 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 83A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.6 毫欧 @ 30A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3.5V @ 100µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 5500pF @ 50V |
功率 - 最大: | 78W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 3-WDSON |
供应商设备封装: | MG-WDSON-2,CanPAK M? |
包装: | Digi-Reel® |