| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB029N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 1,975 | 1:$3.01000 10:$2.58000 25:$2.32200 100:$2.10700 250:$1.89200 500:$1.63400 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.9 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 118µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 188W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-2 |
| 包装: | Digi-Reel® |