元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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IRFHM830DTR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | 963 | 1:$1.92000 10:$1.18600 25:$1.06160 50:$0.96460 100:$0.86780 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.3 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.35V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1797pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2.8W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-VQFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装: | PQFN(3x3) |
包装: | 剪切带 (CT) |