分离式半导体产品 IRFHM830DTR2PBF品牌、价格、PDF参数

IRFHM830DTR2PBF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IRFHM830DTR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 20A PQFN 963 1:$1.92000
10:$1.18600
25:$1.06160
50:$0.96460
100:$0.86780
IRFHM830DTR2PBF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.3 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1797pF @ 25V
功率 - 最大: 2.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: PQFN(3x3)
包装: 剪切带 (CT)