| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB021N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 1,000 | 1,000:$1.95678 2,000:$1.85894 5,000:$1.78207 10,000:$1.73315 25,000:$1.67724 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 196µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 275nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 23000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 250W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-2 |
| 包装: | 带卷 (TR) |