分离式半导体产品 IPD320N20N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD320N20N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 10,000 2,500:$1.19326
5,000:$1.14907
12,500:$1.10488
25,000:$1.08278
62,500:$1.06068
BSZ16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 8,796 1:$2.43000
10:$2.08100
25:$1.87240
100:$1.69910
250:$1.52572
500:$1.31766
1,000:$1.10960
2,500:$1.00558
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 2,500 2,500:$0.89680
5,000:$0.86359
12,500:$0.83038
25,000:$0.81377
62,500:$0.79716
IPD320N20N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 34A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 34A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 带卷 (TR)