| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BSP296 L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | 6,718 | 1:$0.90000 10:$0.77700 25:$0.69520 100:$0.61350 250:$0.53172 500:$0.44990 1,000:$0.35788 |
| BSS205N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 | 8,646 | 1:$0.55000 10:$0.38600 25:$0.31920 100:$0.25750 250:$0.18540 500:$0.14936 1,000:$0.11588 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 700 毫欧 @ 1.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.8V @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 364pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 1.79W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装: | PG-SOT223-4 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |