| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BSS670S2L H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | 7,228 | 1:$0.53000 10:$0.38100 25:$0.30080 100:$0.22860 250:$0.16192 500:$0.12954 1,000:$0.09906 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 650 毫欧 @ 270mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 2.7µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 360mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装: | PG-SOT23-3 |
| 包装: | Digi-Reel® |