分离式半导体产品 BSD214SN H6327品牌、价格、PDF参数
BSD214SN H6327 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| BSD214SN H6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 |
0 |
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| IPP037N08N3 G E8181 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
0 |
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| IPS110N12N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
0 |
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| BSS816NW L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
0 |
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BSD214SN H6327 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
20V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
1.5A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
1.2V @ 3.7µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
0.8nC @ 5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
143pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
500mW
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供应商设备封装: |
PG-SOT363-6
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| 包装: |
带卷 (TR)
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