| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NIC9N05ATS1 | ON Semiconductor | IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE | 0 | 3,500:$1.10700 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 52V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 95 毫欧 @ 12A，12V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 250pF @ 40V |
| 功率 - 最大: | 1.74W |
| 安装类型: | * |
| 封装/外壳: | * |
| 供应商设备封装: | * |
| 包装: | * |