元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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IPU64CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3 | 0 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 17A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 64 毫欧 @ 17A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 20µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 569pF @ 50V |
功率 - 最大: | 44W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商设备封装: | PG-TO251-3 |
包装: | 管件 |