| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SPB80N10L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 | 0 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 14 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4540pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 250W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | P-TO263-3 |
| 包装: | 带卷 (TR) |