| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DMN3029LFG-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 5,730 | 1:$0.49000 10:$0.41200 25:$0.36120 100:$0.30900 250:$0.26800 500:$0.22700 1,000:$0.17500 |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 0 | |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 0 | |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | 3,000 | 3,000:$0.15500 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 18.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装: | PowerDI3333-8 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |