元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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PHD9NQ20T,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 200V 8.7A SOT428 | 0 | 10,000:$0.73800 |
BUK9611-55A,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 | 0 | 4,800:$0.73190 |
BUK7907-55AIE,127 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 5,000 | 1,000:$1.51893 2,000:$1.44299 5,000:$1.42249 |
BUK7907-55AIE,127 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 0 | 5,000:$1.54304 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 8.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 400 毫欧 @ 4.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 959pF @ 25V |
功率 - 最大: | 88W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | D-Pak |
包装: | 带卷 (TR) |