半导体模块 APTGT150DH120G品牌、价格、PDF参数
APTGT150DH120G • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| APTGT150DH120G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 |
0 |
10:$151.04300
|
| APTGF150DH120G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 |
0 |
10:$151.99200
|
| APTGT300A60G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 |
0 |
10:$153.49300
|
| APTGF250A60D3G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 |
0 |
10:$155.90100
|
| APTGF660U60D4G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT 600V 860A 2800W D4 |
0 |
10:$157.75600
|
APTGT150DH120G • PDF参数
| 类别: |
半导体模块
|
| IGBT 类型: |
沟道和场截止
|
| 配置: |
非对称桥
|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: |
1200V
|
| Vge, Ic时的最大Vce（开）: |
2.1V @ 15V，150A
|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: |
220A
|
| 电流 - 集电极截止（最大）: |
350µA
|
| Vce 时的输入电容 (Cies): |
10.7nF @ 25V
|
| 功率 - 最大: |
690W
|
| 输入: |
标准
|
| NTC 热敏电阻: |
无
|
| 安装类型: |
底座安装
|
| 封装/外壳: |
SP6
|
| 供应商设备封装: |
SP6
|